首页
(current)
大学
论文
新闻
招聘
FAQ
简体中文
中
En
登录
注册
#Zhaozhao Hou
Investigation for the Feasibility of High-Mobility Channel in 3D NAND Memory
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si₀ٜ₄₅Ge₀ٜ₅₅, Ge Gate-All-Around NSFET for 5nm Technology Node
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 Tri-Layer High-κ Dielectrics and High Work Function Metal Gate
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Fabrication and Characterization of p-Channel Charge Trapping Type FOI-FinFET Memory with MAHAS Structure
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所