#Li-Hua Mo

Heavy-ion and pulsed-laser single event effects in 130-nm CMOS-based thin/thick gate oxide anti-fuse PROMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Geant4 simulation of proton-induced single event upset in three-dimensional die-stacked SRAM device

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

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