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#Kai Xi
Simulation of the characteristics of low-energy proton induced single event upset
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Simulation of temporal characteristics of ion-velocity susceptibility to single event upset effect
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Influence of edge effects on single event upset susceptibility of SOI SRAMs
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Heavy Ion Radiation Effects on a 130-nm COTS NVSRAM Under Different Measurement Conditions
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Erratum to: Experimental study on heavy ion single-event effects in flash-based FPGAs
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Influence of deposited energy in sensitive volume on temperature dependence of SEU sensitivity in SRAM devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Influence of heavy ion flux on single event effect testing in memory devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Prediction of proton-induced SEE error rates for the VATA160 ASIC
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Monte Carlo predictions of proton SEE cross-sections from heavy ion test data
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Large energy-loss straggling of swift heavy ions in ultra-thin active silicon layers
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所
Supply voltage dependence of single event upset sensitivity in diverse SRAM devices
单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所