#Zhengsheng Han

Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Influence of deposited energy in sensitive volume on temperature dependence of SEU sensitivity in SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

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