#Zhangang Zhang

Influence of edge effects on single event upset susceptibility of SOI SRAMs

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Heavy Ion Radiation Effects on a 130-nm COTS NVSRAM Under Different Measurement Conditions

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Impact of temperature on single event upset measurement by heavy ions in SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Influence of deposited energy in sensitive volume on temperature dependence of SEU sensitivity in SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Investigation of Threshold Ion Range for Accurate Single Event Upset Measurements in Both SOI and Bulk Technologies

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Supply voltage dependence of single event upset sensitivity in diverse SRAM devices

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

Monte-Carlo prediction of single-event characteristics of 65 nm CMOS SRAM under hundreds of MeV/n heavy-ions in space

单粒子效应研究组 , 中国科学院近代物理研究所

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