首页
(current)
大学
论文
新闻
招聘
FAQ
简体中文
中
En
登录
注册
#Wenjuan Xiong
FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process
微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所
Impact of Interlayer and Ferroelectric Materials on Charge Trapping During Endurance Fatigue of FeFET With TiN/HfₓZr₁₋ₓO₂/Interlayer/Si (MFIS) Gate Structure
铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所