团队成员高质量AlN材料异质外延取得重要进展
16.11.2018
近日，我院研究人员在平片蓝宝石衬底上发展了一种结合溅射AlN缓冲层和精细生长模式调控的新型技术路线，成功开发出高质量的AlN薄膜材料，其位错密度比传统技术路线降低一个量级以上，为进一步研发高性能AlN基器件奠定基础。
得益于纳米孔洞的形成，获得的高质量AlN外延层厚度达到5.6微米却没有表面开裂，微观形貌呈现单原子台阶。
图1. 光学和原子力显微镜下高质量AlN外延层的形貌
生长过程中AlN外延层中的位错通过多种形式成环、融合、湮灭，最终到达样品表面的贯穿位错密度只有4.7 × 107 cm-2。
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