#Huaxiang Yin

Simulation for the feasibility of high-mobility channel in 3D nand memory

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Investigation for the Feasibility of High-Mobility Channel in 3D NAND Memory

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Physical Insights on Quantum Confinement and Carrier Mobility in Si, Si₀ٜ₄₅Ge₀ٜ₅₅, Ge Gate-All-Around NSFET for 5nm Technology Node

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Tuning of few-electron states and optical absorption anisotropy in GaAs quantum rings

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

FOI FinFET with ultra-low parasitic resistance enabled by fully metallic source and drain formation on isolated bulk-fin

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Performance Enhancement for Charge Trapping Memory by Using Al 2 O 3 /HfO 2 /Al 2 O 3 Tri-Layer High-κ Dielectrics and High Work Function Metal Gate

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Novel GAA Si Nanowire p-MOSFETs With Excellent Short-Channel Effect Immunity via an Advanced Forming Process

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Comparative Investigation of Flat-Band Voltage Modulation by Nitrogen Plasma Treatment for Advanced HKMG Technology

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Fabrication and Characterization of p-Channel Charge Trapping Type FOI-FinFET Memory with MAHAS Structure

微电子所鸿之微集成电路联合计算实验室 , 中国科学院微电子研究所

Identification of a suitable passivation route for high-k/SiGe interface based on ozone oxidation

铁电器件课题组（王晓磊） , 中国科学院微电子研究所

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