array(2) { ["lab"]=> string(3) "855" ["research"]=> string(4) "1105" } 退孪晶铁基超导体中磁激发的RIXS研究 - 关联电子材料的散射谱学 | LabXing

关联电子材料的散射谱学

关联电子材料的中子和x射线散射研究

退孪晶铁基超导体中磁激发的RIXS研究

       除了采用非弹性中子散射研究退孪晶铁基超导样品之外,我们也采用共振非弹性中子散射(Resonant Inelastic X-ray Scattering)研究特定体系铁基超导中的本征磁激发和向列自旋关联。与中子散射相比,RIXS需要的样品很小(>100微米即可),穿透深度也很小(小于1微米),而散射截面相当大,因此非常适合测量如退孪晶FeSe这类材料的磁激发谱以及向列自旋关联。

 

 

图 1 中子散射和RIXS的优缺点比较

创建: Aug 08, 2019 | 09:46