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铁电器件课题组（王晓磊）

简介 半导体存储器件

大学 中国科学院微电子研究所 / 集成电路先导工艺研发中心
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孙晓清博士的IEEE TED文章发表

恭喜孙晓清博士的文章“The effect of interface traps at the Si/SiO2 interface on the transient negative capacitance of ferroelectric FETs”发表在IEEE TED杂志上

创建: Aug 15, 2021 | 15:46
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