array(2) { ["lab"]=> string(4) "1323" ["publication"]=> string(5) "11458" } Effects of vacancy defects on electronic properties of 2D group-IV Tellurides (XTe, X = Si, Ge, Sn and Pb) - 新能源与纳米材料理论室 | LabXing

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大学 河北科技师范学院 / 城市建设学院
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Effects of vacancy defects on electronic properties of 2D group-IV Tellurides (XTe, X = Si, Ge, Sn and Pb)

2020
期刊 Superlattices and Microstructures
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