Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array

array(2) { ["lab"]=> string(4) "1176" ["publication"]=> string(4) "9780" } Heavy ion irradiation induced hard error in MTJ of the MRAM memory array - 单粒子效应研究组 | LabXing

单粒子效应研究组

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2019

期刊 Microelectronics Reliability

作者 P.x. Zhao · T.q. Liu · C. Cai · D.q. Li · Q.g. Ji · Z. He · P.f. Zhai · Y.m. Sun · S. Gu · J. Liu

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卷 100-101
页码 113347
Elsevier BV
ISSN: 0026-2714
DOI: 10.1016/j.microrel.2019.06.039

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