超高迁移率砷化镓异质结(Ultra-high-mobility GaAs heterostructure) - LiuGroup

调制掺杂的异质结中，电子气在窄势阱中移动，自由电子和电离中心分离，由于不存在杂质散射，使得调制的异质结中二维电子气具有超高迁移率，且低温下自由电子气不会消失，对低温研究有很大意义，且高迁移率器件的工作频率范围较大，更易应用至射频研究。由于砷化镓作为化合物半导体，其杂质和缺陷对器件性能影响很大，很多电子行为和物理化学特性还有点研究。现在利用超高迁移率砷化镓异质结的商用应用包括高电子迁移率晶体管（High electron mobility transistor, HEMT），具有高速、低噪声等优点，可在低温下用于电输运测量。