薄膜GaN芯片在大功率光电器件和高灵敏度压电器件领域具有广阔的应用前景，现阶段实现薄膜GaN芯片的主要手段为短波长激光剥离(LLO)，然而该技术路线存在成本高、热应力大、良率低等瓶颈，限制了其产业化大规模应用。因此，开发低成本、高效率的湿法腐蚀技术，是目前应用基础研究和产业技术研究热点。
近日，省半导体院科研人员与华南师范大学、广东工业大学合作，采用选择性电化学腐蚀技术剥离蓝宝石衬底，分别获得了薄膜InGaN/GaN LED和转移的InGaN/GaN压电式应变传感器，器件展现出优良的光电和压电特性，相关结果分别以“Epitaxtial lift-off for freestanding InGaN/GaN membranes and vertical blue light-emittingdiodes”和“The piezotronic effect in InGaN/GaN quantum-well based microwire for ultrasensitive strain sensor”为题发表于国际权威期刊《Journal of Materials Chemistry C》(工程技术一区top，2019年影响因子7.059)和《Nano Energy》(工程技术一区top，2019年影响因子16.602)，省半导体院材料外延平台张康高级工程师分别为论文的共同通讯作者和共同第一作者，上述工作得到省科学院建设国内一流研究机构行动专项资金项目的支持。