实验室简介
常凯，研究员，安徽潜山人。
1996年北京师范大学物理系凝聚态物理专业毕业并获理学博士学位。1996年-1998年在中科院半导体所超晶格国家重点实验室博士后，1998年-2001年赴比利时安特卫普大学物理系合作研究。现任中科院半导体所超晶格国家重点实验室研究员，主要从事半导体物理的理论研究工作。
一直致力于半导体基础物理及其器件物理研究；共发表SCI论文111篇，其中PRL 10篇， Nature Materials 1篇，Nature Nanotechnogy 1篇，ACS Nano 1篇，Nano Research 1篇，PRB 36篇，APL 20篇。论文SCI他人引用2100余次，多项工作得到国际同行的正面评价和承认，并被写入综述文章和专著中。他先后担任国家自然科学基金委的评审专家，主持和参加国家重大基础研究计划项目课题，2001年入选中科院“百人计划”，2004年度获得国家自然科学二等奖（夏建白、李树深、常凯、朱邦芬），2005年度获得国家杰出青年基金资助，2013年入选国家百千万人才工程；并被授予“国家有突出贡献的中青年专家”。被授予2013年度中国物理学会黄昆固体物理和半导体物理科学奖。多次在国际学术会议做邀请报告，例如美国物理学会March Meeting和第31届国际半导体物理大会。2013年第17届窄能隙半导体物理会议主席；2015年（德国）第18届国际程序委员会委员；2015年（日本）二维电子气物理会议（EP2DS-21）程序委员会委员；2016年第33届国际半导体物理大会（ICPS-33）程序委员会主席；中国物理学会凝聚态理论与统计物理专业委员会委员；半导体物理专业委员会委员。
从理论上预言了自组织InAs量子点和V型量子线中非对称的Stark效应，并被国际上著名的实验组证实和引用。在国际上较早开展对球形层状量子点的理论研究，并预言了可能存在II型激子。发现耦合量子阱中磁激子的基态是长寿命的暗激子，解释了A.C.Gossard小组的实验工作。
近期主要研究工作集中在半导体自旋电子学方面。系统细致地研究了不同自旋注入方案的优缺点。尤其是稀磁半导体量子点注入方案可以克服强磁场的障碍，近期的实验结果支持我们的方案。研究了稀磁半导体二维电子气的纵向磁阻，理论与实验十分吻合。在此基础上，考虑自旋－轨道耦合，发现在弱磁场下可以在弱极化体系中实现共振自旋极化。近来发现为国际上广泛采用的线性Rashba自旋－轨道耦合模型在高电子浓度下严重偏离严格的数值结果，我们提出了非线性的Rashba模型能够很好地解释数值和实验结果，并提供了清晰的物理图象。
研究了稀磁半导体量子点的g因子调控，理论和实验十分吻合，并预言了g因子从负到正的转变。我们的工作被国际同行评为"打开了通往许多有趣基础物理问题的途径" 和"这一奇特的结果以前已经被报导过并提供了操纵和控制自旋特性新的可能性"。
